场效应管（FET）是一种利用电场效应控制电流流动的半导体器件。根据其结构和工作原理，场效应管可以分为以下主要种类：
按极性分类
N沟场效应管：使用N型半导体作为通道，通过基极施加正电压增强导电性。
P沟场效应管：使用P型半导体作为通道，通过基极施加负电压提高导电性。
按结构形式分类
结型场效应管（JFET）：具有两个PN结，分为N沟道和P沟道。
绝缘栅场效应管（MOSFET）：栅极与其他电极绝缘，分为N沟道和P沟道，进一步分为增强型和耗尽型。
按工作模式分类
增强型场效应管：在无栅极电压时通道截止，需要施加电压才能工作。
耗尽型场效应管：在无栅极电压时通道具有一定导电能力，施加负电压可截止通道。
按材料分类
硅场效应管：使用硅作为半导体材料。
这些分类有助于理解场效应管的不同特性和应用领域。例如，N沟道增强型MOSFET因其高输入阻抗和快速开关速度，常用于高频开关电路和电源管理。而P沟道耗尽型JFET则因其恒流特性，常用于模拟信号放大电路。