PN结的形成是通过以下步骤：
掺杂工艺：
在纯净的半导体材料中掺入微量的三价元素（如硼、铝等）形成P型半导体，掺入微量的五价元素（如磷、砷等）形成N型半导体。
扩散运动：
P型半导体中的空穴和N型半导体中的自由电子由于浓度差，会发生扩散运动。N型区的自由电子向P型区扩散，P型区的空穴向N型区扩散。
空间电荷区形成：
随着扩散，P型半导体和N型半导体接触面附近形成空间电荷区，也称为耗尽层。在这个区域内，由于电子和空穴的复合，形成了带正电和带负电的离子层。
内电场形成：
空间电荷区产生的电场阻止了进一步的载流子扩散，形成了一个稳定的结构。这个电场方向由N型区指向P型区。
动态平衡：
多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡，PN结就形成了。
PN结具有单向导电性，是许多半导体器件（如二极管、晶体管）的基础。在正向偏置（外加正电压）时，PN结允许电流通过，而在反向偏置（外加负电压）时，PN结阻止电流通过