结电容是一种 电荷存储装置，通常由两个电极和中间的绝缘介质组成。在PN结中，由于P区和N区的载流子浓度不同，形成了空间电荷区，这个区域的电荷分布形成了结电容。在MOS结构中，由于金属、氧化物和半导体之间的电容，也形成了结电容。
结电容对于电路设计和性能优化非常重要，特别是在集成电路中，因为它可以占据较小的空间并提供可靠的电容特性。结电容可以分为势垒电容和扩散电容两部分。势垒电容是由于PN结交界处存在势垒区，结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。扩散电容则是由于PN结两端电压变化引起扩散区电荷数量的改变所致。
在高频电路中，结电容的大小对通讯效果有显著影响。例如，在二极管中，当PN结正偏时，结电容主要取决于扩散电容，值较大；而当PN结反偏时，结电容主要取决于势垒电容，值较小。
总结来说，结电容是半导体器件中重要的寄生参数，对电路性能，尤其是高频电路性能有重要影响。了解结电容的性质有助于更好地进行电路设计和优化。