PN结是指在一块半导体基片上，通过不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块基片上，在它们的交界面形成的空间电荷区。这个空间电荷区是由于P型和N型半导体中载流子（电子和空穴）的浓度差异以及掺杂杂质电离产生的电荷载流子所形成的。
PN结具有单向导电性，即电流只能从一个掺杂类型（P型或N型）流向另一个掺杂类型。当在PN结上施加电压时，如果P型半导体接正极，N型半导体接负极，则电流从P型流向N型，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。反之，如果N型半导体接正极，P型半导体接负极，则电流不能流过，因为空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽.
PN结是许多电子器件（如半导体二极管、双极晶体管等）的基础，其单向导电性使得这些器件在电路中能够起到控制电流方向的作用.