晶体缺陷是指晶体中原子排列偏离理想晶体结构的区域，这些缺陷可以分为以下几种主要类型：
点缺陷
肖脱基缺陷：晶格位置上的空位，即正常结点位置上没有质点。
弗兰克尔缺陷：由一个空位和一个间隙原子组成的一对缺陷。
替位缺陷：外来杂质原子替代晶体中原有原子位置。
填隙缺陷：外来杂质原子进入晶格间隙中。
线缺陷
位错：晶体中原子排列发生错位的线状缺陷，如刃位错和螺位错。
面缺陷
晶界：多晶体中晶粒之间的交界面。
层错：晶体中原子面的堆垛顺序出现反常而造成的缺陷。
孪晶界：晶体中相毗邻的两部分互为镜像的界面。
体缺陷
镶嵌块：晶体中的大尺寸非周期性结构。
沉淀相：晶体中生长的第二相。
空洞：晶体中的空腔。
气泡：晶体中的气体泡。
晶体缺陷对晶体的物理和化学性质有重要影响，例如影响半导体的导电性、陶瓷和耐火材料的烧结以及固相反应等。了解晶体缺陷的类型和形成机制对于控制晶体的生长和性质至关重要