非易失性存储器是指即使在没有电源的情况下，存储的数据也不会丢失的电脑存储器。以下是一些主要的非易失性存储器类型：
ROM（Read-only memory，只读内存）
ROM是最早的非易失性存储器之一，数据一旦写入后就不能被修改或删除。ROM内部通常使用晶体管和二极管等半导体器件来存储数据，通过改变晶体管的通道状态来存储二进制信息。ROM主要用于存储固定不变的程序或数据，例如计算机的BIOS程序、嵌入式系统的固件等。
PROM（Programmable read-only memory，可编程只读内存）
PROM是一种允许用户通过特殊设备将数据写入存储器内部的非易失性存储器。与ROM不同，PROM在出厂时是空白的，用户可以根据需要写入数据。PROM内部通常包含行列式的熔丝或反熔丝，通过电流或激光等方式烧断或改变其状态来存储数据。一旦数据写入，PROM就不能再被修改。
EAROM（Electrically alterable read only memory，电可改写只读内存）
EAROM是一种电可改写的只读存储器，与ROM类似，但可以在通电后通过电信号改写数据。EAROM常用于需要偶尔改写数据的场合，例如存储器的配置信息。
EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可编程只读内存）
EPROM是一种可擦除的可编程只读存储器，用户可以通过紫外线照射来擦除原有的数据，然后重新编程。EPROM常用于存储需要频繁更改的固件和程序。
EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，电可擦可编程只读内存）
EEPROM是一种电可擦除的可编程只读存储器，用户可以通过电信号擦除原有的数据，然后重新编程。EEPROM常用于存储需要频繁更改的数据，例如计算机的BIOS程序、嵌入式系统的固件等。
Flash memory（闪存）
闪存是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写。闪存使用NAND或NOR技术制造，广泛用于存储数据和程序代码。闪存具有读写速度较快、抗震性能好、体积小等优点，广泛应用于消费电子产品、固态硬盘、USB闪存驱动器等领域。
快闪存储器（Flash RAM）
快闪存储器是一种基于无机晶体材料的非易失性RAM，也被称为非易失性动态随机存取存储器。快闪存储器拥有更快的速度和更高的存储密度，适用于需要快速启动的计算机、服务器、医疗设备等场合。
磁盘存储器
磁盘存储器是一种利用磁性材料记录数据的储存器件，包括硬盘驱动器和磁性光盘驱动器。磁盘存储器具有密度大、存储能力强、价格适中等特点，广泛应用于计算机、服务器等设备。
NVDIMM（Non-volatile dual inline memory module，非易失性双列直插内存模块）
NVDIMM是一种集成了普通DDR RAM和非易失性FLASH芯片的内存条，在系统异常掉电时，可以利用后备超级电容将数据保存到闪存中，从而永久保存内存中的数据。NVDIMM适用于需要高可靠性和快速数据保存的应用场景。
铁电存储器（FeRAM）
铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。铁电存储器常用于需要高可靠性和快速数据访问的应用场景。
这些非易失性存储器各有优缺点，适用于不同的应用场景。在选择非易失性存储器时，需要根据具体需求和应用场景来权衡其性能、成本和可靠性。