磁阻效应（magnetoresistance，MR）是指某些材料的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。具体来说，当电流通过一个导体，并且该导体周围存在磁场时，导体中的载流子会受到洛伦兹力的作用，导致其运动轨迹发生偏转。这种偏转改变了载流子的漂移路径，使得沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而导致电阻增加。
磁阻效应可以分为几种类型：
常磁阻（Ordinary Magnetoresistance, OMR）：
在一般材料中，电阻的变化通常小于5%。
几何磁阻：
与材料的几何形状有关。
Shubnikov-de Haas振荡：
在低温下观察到的量子效应。
正磁阻：
在多数金属中观察到，电阻率随磁场增强而增加。
负磁阻：
在磁性金属中观察到，电阻率随磁场增强而减少。
各向异性磁阻（Anisotropic Magnetoresistance, AMR）：
与材料晶格的各向异性有关。
磁阻效应在多个领域都有应用，包括磁场传感器、磁存储设备以及研究基本物理现象等